Akıllı Telefonlar İçin Depolama Alanı

Akıllı Telefonlar İçin Depolama Alanı

Samsung, gelecekteki akıllı telefonların depolama kapasitesini daha geniş bir 512 GB’a çıkaracak yeni yerleşik Universal Flash Storage (eUFS) cipsinin seri üretime başladı. Cipsler, önceki biriminki ile aynı miktarda fiziksel alan depolama yoğunluğunu ikiye katladığı bildirildi. Samsung, son yıllarda üç boyutlu flaş depolama yongaları yığını olan V-NAND cihazları üretiyor . Bu yeni cihaz sekiz 64 katmanlı V-NAND yongasından ve 512 GB’a kadar eUFS’nin depolama kapasitesini artıracak bir kontrol yongasından oluşuyor. 48 katman içeren önceki modelin iki katı depolama kapasitesi.

Referans için Samsung, bir kullanıcı Samsung Galaxy S8‘e takılmaktan yaklaşık 10 kat fazla yeni eUFS ile inşa edilmiş bir cihazda 1,300 dakikalık 4K video saklayabileceğini söylüyor.
Yeni eUFC ayrıca sıralı okuma hızları 860 MB / s’ye ve yazma hızları 255 MB / s’ye kadar daha hızlı okuyabilir ve yazabilir. Şirkete göre, bu, yaklaşık 6 saniye içinde bir SSD’ye 5 GB’lık bir video dosyası aktarılabileceği anlamına geliyor. Yeni cihazdaki güç yönetimi teknolojisi, enerji tüketimindeki artışın asgari seviyede tutulması için güncellendi.

Samsung, bu yeni 512 GB V-NAND yongalarını talebi karşılamak için ve mevcut 256 GB modelinin üretimini artırmak için agresif bir şekilde üretmeyi planladığını belirtti.